项目概述
求是半导体与浙江大学共同承担 2025 年“尖兵领雁+X”科技计划： 12 英寸减压硅锗外延设备关键技术。12 英寸减压硅锗(SiGe)外延设备是半导体制造中的关键设备，用于在硅衬底上生长高质量的硅锗外延层，广泛应用于高性能逻辑器件、射频器件和光电器件等领域。
求是半导体致力于为全球半导体产业提供高性能、高可靠性、高性价比的设备解决方案，依托深厚的科研背景和技术创新能力，深耕半导体制造领域，特别是在晶圆加工设备、先进封装设备、工艺检测设备等方向形成了核心竞争力。 先后荣获国家专精特新“小巨人”企业、“浙江省制造业单项冠军培育企业”等荣誉。 求是半导体通过自主研发减压外延技术（如多区温控、气流场优化等），可打破国外在硅锗外延设备领域的专利壁垒，降低对进口设备的依赖。例如，其参与的 12 英寸硅锗外延系统招标项目（预算 5400 万元）明确要求“不允许采购进口产品”，凸显国产化紧迫性。支撑产业链自主可控、硅锗外延技术是制造高速芯片（如 5G 射频器件、 AI 芯片）的关键工艺，国产设备的突破将直接提升中芯国际、华虹等下游晶圆厂的供应链安全性。
通过建设“12 英寸减压硅锗外延设备关键技术高价值专利培育项目”，建立健全高价值专利培育中心的管理体系，构建高价值专利培育的工作体系，跟踪分析研发过程中的技术发展方向和专利壁垒，突破 12 英寸减压硅锗外延设备关键技术领域亟需的先进逻辑芯片、功率器件制造的核心装备，加强研发成果的专利布局策划，提升专利申请的撰写质量，验证评估专利转化运用的前景，以形成一批与 12 英寸减压硅锗外延设备关键技术相关的高价值专利，实现将 12 英寸减压硅锗外延设备关键技术和知识产权有效融合，提升全省专利产出质量，实现对 12 英寸减压硅锗外延设备关键技术的专利保护、储备运营、集中管理和集成运用，切实保护我国半导体设备核心技术知识产权。通过建设 12 英寸减压硅锗外延设备关键技术高价值专利培育，累计新增发明专利授权 10 件。
