一、产业领域 平台聚焦于先进半导体产业，以后摩尔时代半导体关键装备与工艺为核心，进行下一代芯片技术的前沿颠覆性创新研发和布局，重点围绕芯片异构集成、微纳光电器件制备等前沿技术方向，致力于攻克大尺寸立方相碳化硅制造技术、碳化硅聚焦环/边缘环技术、超高精度光学模块研发等核心技术难题，构建相关产业技术壁垒，提升我国在电子信息领域的自主创新能力和核心竞争力。 二、现有基础 平台依托甬江实验室半导体装备方向的科研实力、宁波知识产权保护中心基于科技情报的创新辅助能力、浙江大学技术转移中心以转化为导向的创新规划能力、杭州金船、华进联浙等专利挖掘布局的专业服务能力、盈创孵化器的产业孵化能力，形成一支学科交叉、经验丰富、专业能力强的多元化人才团队，构建一套“研知转服用”五维融合的创新服务模式，为平台建设和后期发展提供强有力支撑。 三、战略意义 建设半导体关键装备与工艺高价值专利培育平台，通过前沿技术攻关、高价值专利培育布局、科技成果转化应用等，打造多维度、高水平、全链条的前沿交叉创新平台，建立后摩尔时代先进芯片制备的中国赛道，破局我国芯片技术长期受制于人的困境。平台将为半导体关键装备与工艺从需求链到产业链、从技术链到创新链的实现过程提供一体化解决方案和经验样板，实现知识产权驱动先进半导体领域创新发展。 四、特色思路 整合甬江实验室及参与单位的科研、人才与产业资源，构建产学研用协同创新机制，加强与高校、科研机构和企业的合作，形成一套“前沿技术创新-专利分析布局-科研成果产出-转移转化应用”的特色标准流程做法。 完善信息材料与微纳器件制备平台、材料分析与检测平台等科研设施建设，增强技术研发能力，为高价值专利培育提供技术支撑和验证手段；围绕半导体关键装备与工艺核心与前沿技术开展专利挖掘和布局，制定科学合理的专利战略，提升专利质量和数量；加强知识产权人才队伍建设，培养和引进一批既懂技术又懂知识产权的复合型人才，为平台建设提供人才保障；建立健全专利运营和转化机制，加强与社会资本和投资机构的合作，推动专利技术的产业化应用，实现专利价值最大化。 五、预期成果 争取经两年建设，建成特色化、规范化、实效化的高价值专利培育工作体系；重点围绕大尺寸立方相碳化硅制造技术、碳化硅聚焦环/边缘环技术、超高精度光学模块研发三大主攻方向开展高价值专利培育和布局，形成3个高价值专利组合；推动相关领域发明专利实施运用率不低于35%，推动半导体产业创新发展。 六、主要举措 常态化开展半导体关键装备与工艺高价值专利培育工作，成立由甬江实验室牵头，联合宁波知识产权保护、浙江大学技术转移中心、杭州华进联浙、杭州金船等单位的专项工作组，保障平台顺利运行。 结合人工智能、大数据等先进技术，深入研究技术趋势和市场需求，挖掘高价值专利技术点，构建智能化专利管理、检索分析、成果匹配等辅助系统，覆盖专利技术的全生命周期管理。建立健全高价值专利培育平台制度建设，进一步建立健全高价值专利申请机制、专利评估机制、成果转化实施机制、绩效奖励机制等，确保平台高效运转。加强平台宣传工作，通过开展知识产权培训、学术交流、成果推广会等活动广泛宣传平台创新产出，增强平台辐射能力，更好地服务半导体产业发展。

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